控制石墨化过程抑制气胀的几种措施-伟名石墨

抑制气胀的几种措施:

（1）降低原料焦炭的硫、氮等元素的含量，如氢气接触法脱硫，采用高温煅烧等，经测定，含硫量为1.5％的石油焦在不同温度煅烧后的残余硫含量如下。

煅烧温度/11001200130014001600

硫含量/％1.51.491.321.130.36

国外曾在600~800℃对半焦（尚未煅烧的生焦）用氢气接触法脱硫进行过研究，脱硫后，含硫量减少，细孔增多，在焦炭还没有收缩的温度下进行脱硫效果最佳。

（2）控制石墨化过程某一温度区间的升温速度，也即降低在1700~2100℃区间杂质气体释放的速度，有利于减少气胀。串接石墨化的温升速度较大，所以如用含氮量较高的煤系针状焦生产的大规格超高功率石墨电极不宜用串接石墨化炉石墨化，否则剧烈的气胀会导致裂纹废品的增加。

（3）配料时加入少量气胀抑制剂，可延缓杂质气体的释放，气胀抑制剂通常使用氧化铁粉，抑制剂与硫反应生成硫化物，随后在较高的温度下以较低的速度分解出单质硫，金属氧化物防止气胀的效果是由于其硫化物的稳定性作用，当用氧化铁为气胀抑制剂时，硫的逸出推迟到2100~2500℃间。

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