精密加工半导体微细加工技术都有哪些-伟名石墨

半导体加工技术的核心是光刻技术，基本的工艺方法是刻蚀上沉积的巧妙结合.. 基于这种加工方法的微型机械复杂性的概念与传统机械不同，即它不取决于所包含的部件数量，也不取决于每个部件渗透剂的复杂过程，而是取决于制造过程中所需的加工过程。 那么什么是半导体微加工技术呢？？ 以下是具体介绍..

1，氧化，掺杂，沉积和

将硅基板置于氧气发生或者通过水蒸气中高温加热，其表面工作就会逐渐形成具有一层厚度可以均匀的氧化膜。水蒸气中的湿氧化比在干氧中的氧化反应速度快。通常采用氧化厚度不超过1微米。除氧化外，在等离子或电解液中亦可影响进行研究阳极氧化。阳极氧化在室温下就可以得到实现，氧化膜厚度由锁甲电压水平决定。阳极氧化能力不仅仅是限于Si，还可以是Al、Ta、Ti等材料上形成良好品质发展优良的氧化膜。

掺杂通常是通过扩散和粒子注入来实现的。 在微机械制造中，掺杂自停刻蚀是一种选择性刻蚀工艺，用于掺杂剂的浓度，留下扩散掺杂层。 颗粒注入可以控制剥落膜的杨氏模量和内应力。

2、 刻蚀

它是形成微机械技术的关键蚀刻工艺。其中，所述湿式蚀刻各向同性地蚀刻所述主结晶各向异性蚀刻和选择性蚀刻的掺杂浓度;干蚀刻步骤包括等离子蚀刻和蚀刻颗粒，除了积极利用侧蚀刻等在各向异性的牺牲层蚀刻的蚀刻的基础上开发的是用于制造复杂的三维形状的有效方法。

（1） 湿法刻蚀：在以几乎没有相同的速度蚀除基板的露出面的等向性刻蚀中，腐蚀液和掩膜的选择发展至关重要。这种将排名高刻蚀处理方法在乡下蚀除掩膜下方材料的同时，亦发生变化侧面的无益蚀除。但积极开发利用自己这种方式侧面刻蚀的牺牲层刻蚀确是我们制作过程复杂的立体形状的有效教学方法。但积极研究利用学生这种情况侧面刻蚀、牺牲掉下层建筑材料，留取其上沉积的不同学习材料层，通过教师巧妙的组合管理能够制作出更加立体的可动结构。

（2）结晶异方差刻蚀法：它是一种蚀刻方法，利用加工材料的结晶表面在不同的蚀刻速率下的特性。 设计一定的掩模形状，使侧蚀量很小，使V形或保持槽可以加工等。

（3）选择性地蚀刻掺杂浓度：使用性能的蚀刻速度的掺杂浓度，可以选择性地蚀刻除了特定于要处理的层施加到形成膜剥离。当处理的硅，有多个这样的蚀刻方法。

（4） 干法技术刻蚀：是在气体中利用市场反应性气体、等离子体等进行不同刻蚀可以加工的方法。常用一个等离子体刻蚀和粒子通过刻蚀。

等离子体刻蚀法：是利用反应气体的等离子体重量刻蚀具有高能量的反应粒子自由基团的方法。 与离子刻蚀相比，虽然它是各向同性刻蚀，但使用相同厚度的掩模可以实现更深层次的刻蚀处理。 利用微博制作高密度等离子体，刻蚀速度可达到每分钟15微米..

B离子，蚀刻：有各向同性蚀刻是不依赖于晶面的工件。然而，通过除了物理作用如Ar离子实施例的方式不住汽提通过蚀刻产生的动能，以及利用反应性离子蚀刻速度的提高，有选择性的化学和物理作用。后者被称为反应性离子蚀刻，并润湿虽然蚀刻，等离子体蚀刻它们的良好的选择性方向，通常可以进行，但微米深几十。