特殊的机械光刻加工的主要工序-伟名石墨

对于光刻工艺是制造的微细高密度的复杂的图形组成，等高精度的微机械细纹的主集成电路的方法中的一个。这是一个重要的手段纳米工艺制造。其原理是相似的光刻光刻，这是一个关键的技术掌握，曝光和蚀刻。

光刻技术加工企业可以发展分为以下两个不同阶段，对钩网介绍说，第一阶段是原版制作，生成微细结构复杂环境图形的工作原版或工作掩膜，为光刻加工时用；第二阶段是光刻。

第一阶段：原始作品的制作

1、 原图绘制

设计图纸，在与上称为刻红膜中的图案化的材料，一般比最终希望的图像大的刀绘图仪放大数次。

2、 缩版、殖版制作

将原图用缩放机缩成规定的尺寸，即成缩版。缩版视原图进行放大倍数有时要多次出现重复不断缩小我们才能发展得到。如果要大量企业生产经营同一形状制品，可用缩图在分布可以重复照相机上制成具有多个想吐图形排列的殖版。

3.工作原件或工作面具制作

简化版本，定植的平版板可直接加工，但通常保持作为主，但施工从主副本版本形成成为原始光刻时，掩模或作业变得原来的工作。

原版的制作时光刻工艺加工企业技术的关键，其尺寸进行精度、图象对比度、照片浓淡、深浅等都将可以直接产生影响包括光刻加工的质量。

第二阶段：光刻

1、 涂胶

将光刻胶涂在半导体衬底的氧化膜上的过程称为涂层.. 光刻胶可分为正胶和负胶，在开发图中去除被照亮部分的胶层，形成“窗口”为负胶，反之亦然为正胶。 涂层要求厚度和厚度均匀，常用的涂层方法包括旋转（离心）倾倒、浸渍、喷涂和印刷。 特殊设备。

2、 曝光

从光致抗蚀剂通过形成掩模工作，即曝光涂覆光源发射的光束。这种曝光被称为投影曝光，也被称为复制。公共源极的电子束，X射线，远紫外射线，离子束等。的曝光光束也聚焦为微小光点，通过数字扫描，绘图光致抗蚀剂涂层上形成图案，称为扫描曝光。又称写的地图。这种预曝光不原创作品，而是要设计出准备扫描跟踪程序。公共源极的电子束，离子束。

3、 显影与烘片 

（1） 显影：曝光后的光致抗腐蚀剂，其分子进行结构发展产生学习化学环境变化，在特定溶剂或水中的溶解度也不同，利用网络曝光区和非曝光区的这一文化差异，可在一个特定溶剂中把曝光图形设计呈现不断出现，这就是显影。

（2）烘焙：一些光刻胶在干燥后发展，进行高温处理，使其发生热聚合以提高强度，称为烘焙。

4、 刻蚀

通过化学或物理方法，所述试剂是未光氧化膜去除部分，称为蚀刻。有蚀刻的许多方法，化学蚀刻，离子蚀刻，电解蚀刻等。

刻蚀技术不仅是沿厚度研究方向，而且也可沿横向发展进行，称之为一个侧面刻蚀。侧面刻蚀越小，刻蚀相关系数越来越大，制品结构尺寸计算精度就越高，精度以及稳定性质量越好。由于有侧面刻蚀的现象，使刻蚀成的窗口比光致抗蚀剂窗口大，因此在设计时要进行分析修正。

5、 剥膜与检查

（1）剥膜：从剥膜液中除去光刻胶称为剥膜。

（2）检查：汽提后，工件会被洗净，修剪，检查外观，条带大小，粒度，端部形状，房屋性能，一些血液性能的质量。