电子器件制造装置用高纯炭素制品-伟名石墨

电子器件制造装置用高纯炭素制品

生产以记忆芯片为代表的电子器件，要经过多种处理工艺。图所示为有关形成电子器件回路的硅片处理工序。

硅片外延处理工序。在此工序中，以硅片为基板，在其表面生成同样的硅单晶的同时，通过掺加不纯物而形成p型层或n型层。外延工艺一般以CVD法(化学气相沉淀)为主流。其装置的概略如图所示。工艺流程为，用氟酸将硅片清洗，干燥后，贴置于基座上，然后加热升温，通入盐酸除去硅片表面的氧化层，生成外延层。基座要求选择具有不能伴有金属污染、耐高温及耐盐酸腐蚀、不与硅反应、没有气体发生等特性的材料。作为能满足这些要求的材

料，一般使用以高纯炭素制品为基材，通过CVD法在基材表面进行高纯SiC涂层的基座。

氧化、扩散工序。对于硅材料器件而言，这个工序是形成绝缘膜的最重要的工序。形成绝缘膜的方法有高温氧化法和CVD法。在单体处理式的等离子体CVD方法中，高纯炭素制品既是等离子体的放电电极，也是硅片的支撑板。其装置概略如图所示。这里所使用的材料，同样要求不能使用中伴有金属污染，而且需具有诱发等离子发生的导电性，以及对反应气体、电极板清洗气体的抗腐蚀性。为了解决石墨内部微量不纯物的发生问题，有时也使用在表面进行玻璃炭涂层或热分解涂层，或者浸渍的炭素制品。现在，单体式装置正在逐步减少，而代之以枚叶式装置。

原创文章，转载请注明出处:www.weimingge.com